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  • 【姓名】  胡居广

    【学位】  博士

    【职称】  副教授

    【备注】  硕导

    【电话】  0755-26534995

    【邮箱】  hujuguang@szu.edu.cn

    胡居广,博士,副教授,硕士生导师,深圳大学物理与能源学院 应用物理系主任,1999年于山东大学晶体所的凝聚态物理专业获得硕士学位;2004年于天津大学获得物理电子学专业博士学位。承担的课程有:光学、激光原理与器件、应用激光、光电仪器原理、光纤传感器原理与技术等。目前主要研究方向有:脉冲激光沉积(PLD)技术、非线性光学频率变换技术。参与多项国家省市项目,主持深圳市基础研究项目2项,横向课题多项。在国内外重要期刊上发表第一作者论文近20篇,其中多数被SCI或EI收录,另外已授权发明专利2项。

    代表性学术成果:

    [1] Peiguang Yan, Rongyong Lin, Shuangchen Ruan(corresponding author), Aijiang Liu, Hao Chen, Yuequn Zheng, Sifan Chen, Chunyu Guo, Juguang Hu(corresponding author). A practical topological insulator saturable absorber for mode-locked fiber laser [J]. SCIENTIFIC REPORTS, 2015, DOI: 10.1038/ srep 08690         (SCI)

    [2] Juguang Hu, Qiwen Li, Xiaodong Lin, Yi Liu, Jinghua Long, Liuyang Wang, Huabin Tang. Improvement of thickness uniformity and elements distribution homogeneity for multicomponent films prepared by coaxial scanning pulsed laser deposition technique [J]. Chinese optics letters, 2014, 12(7): 072201(4)        (SCI)

    [3] Juguang Hu, Qiwen Li, Xiaodong Lin, Zhongkuan Luo, Huiqun Cao, Xionghui Diao, Yiqian Zhang, Zhanyao Chen, Huabin Tang. Excimer laser crystallization of MgZnO thin films [J]. Rare Metal Materials and Engineering, 201241(S3):313-315   (SCI)

    [4] Juguang Hu, Huabin Tang, Xiaodong Lin, Zhongkuan Luo, Huiqun Cao, Qiwen Li. Doped Titanium Dioxide Films Prepared by Pulsed Laser Deposition Method[J]. International Journal of Photoenergy, 2012, Article ID 758539, 8 pages   (SCI)

    [5] 胡居广,林晓东,曹慧群,罗仲宽,刘毅,龙井华,李启文. 温度对PLD法制备的CIGS薄膜性能的影响[J]. 稀有金属材料与工程, 2011, 40(10):1848-1851  (SCI)

    [6] 胡居广,李启文,郑彬,汤华斌,王培,罗仲宽,曹慧群,林晓东. 衬底温度对PLD法沉积CdSZnS薄膜材料的影响, 太阳能学报,2013, 341):34-38   (EI)

    [7] 胡居广,刁雄辉,李学金,林晓东,李佑国,刘毅,龙井华,李启文. 基于PLD 法制备的MgZnO 薄膜紫外传感器的研究[J]. 传感技术学报2011243:330-335    (EI)

    [8] 胡居广,汤华斌,李启文,李学金,郑彬,刘毅,龙井华,林晓东. 近红外激光退火晶化CIGS薄膜研究[J]. 深圳大学学报(理工版), 2013, 30(6): 623-628

    专利:

    (1) 胡居广,刁雄辉,林晓东,李启文,钟健,施苇,刘毅,龙井华. 一种脉冲激光沉积系统[P]. 发明专利号:ZL 201110006928.72012523日 授权

    (2) 胡居广,李启文,王刘杨,王斌,陈涛,向皓明. 激光沉积薄膜制备装置[P]. 发明专利号:ZL 201410841449.02017510 授权