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  • 【姓名】  范平

    【学位】  博士

    【职称】  教授

    【备注】  硕导

    【电话】  26536021

    【邮箱】  fanping@szu.edu.cn

        范平教授,男,1963年11月生,福建永定人,中共党员。“薄膜物理与技术”交叉二级学科硕士点导师。浙江大学物理学专业本科毕业,中国科学院研究生院(上海光学精密机械研究所)博士。1985年到深圳大学任教,历任理学院党委副书记、理学院党委书记、物理科学学院党委书记等职;现任深圳大学物理科学与技术学院院长、深圳市传感器技术重点实验室副主任,深圳大学薄膜物理与应用研究所所长。1995年获得深圳市“十佳青年教师” 荣誉称号;1996年被深圳市团委授“鹏城青年创造勋章”;1996年获得广东省“南粤教坛新秀”荣誉称号,2003年晋升为教授。长期从事真空物理与技术及薄膜物理与技术的研究,在真空物理与技术方面,独立提出了“分层流动模型流导计算理论”(1994年获深圳市科技论文二等奖),从理论上解决过渡态时真空管道的流导计算困难,被认为在流导计算上,提出了新的见解、新的理论,其结果对于真空设备与抽气系统的设计、航天技术等方面有广泛的应用意义。在薄膜物理与技术方面,在Boltzmann 方程的基础上,建立了同时考虑表面散射和晶界散射的金属薄膜的电子输运新的理论模型,得到了新的电导率计算公式,在此基础上研究了金属薄膜热电势随金属薄膜厚度变化的关系。深入研究了用于软X射线光学多层膜的金属材料薄膜的物理性质、成膜过程特别是对连续膜开始成膜条件与判据的实验与理论,取得了很有价值的新成果。提出了金属薄膜连续性的光学特性特征判据和电学特性特征判据。多年来对薄膜温差电池和薄膜太阳能电池进行了较深入的研究,有一定的经验积累。在薄膜太阳能电池吸收层Cu(In,Ga)Se2薄膜的制备与表征研究中取得了一些成果。在薄膜热电材料的制备与表征方面开展了有成效的工作,如首次采用离子束溅射技术制备传统的铋锑碲基热电材料薄膜,所制备的薄膜具有良好的电学和热电性能,且制备工艺简单。在对薄膜温差电池的研究方面,在不提高薄膜热电材料的制备成本又可能提高发电效率方面已有所获。提出了一种基于多层膜结构的新型薄膜温差电池、一种两面镀膜的温差电池和柔性薄膜温差电池。第一发明人已授权国家发明专利三项、实用新型专利一项;正在申请美国、日本和欧盟发明专利各二项,正在申请国家发明专利五项。参与或主持完成国家、省、市、校基金项目多项。在Applied Physics Letters、Journal of Applied PhysicsThin Solid Films 和Applied Surface Science等国内外主要专业期刊上发表论文50余篇。大部分被SCI或EI收录。指导本科学生获第十一届“挑战杯”广东大学生课外学术科技作品竞赛二等奖(2011)和深圳大学2010年“挑战杯”课外学术科技作品竞特等奖。指导的硕士研究生获“2010年度中国真空学会真空科学硕士、博士优秀论文奖”和“2009年度中国真空学会真空科学与技术硕士生奖”。兼任《真空科学与技术学报》编委、中国真空学会理事、广东省物理学会常务理事、深圳市真空学会常务理事、中国光学学会高级会员。

     

    代表性学术成果:

    1. Ping Fan, Zhuang-hao Zheng, Zhao-kun Cai, Tian-bao Chen, Peng-juan Liu, Xing-min Cai, Dong-ping Zhang, Guang-xing Liang, and Jing-ting Luo,High performance of a thin film thermoelectric generator with heat flow unning parallel to film surface[J], Applied Physics Letters, 2013, 102: 033904. (2011JCR二区,物理:应用)

    2. Ping Fan,Guang-Xing Liang,Xing-Min Cai,Zhuang-Hao Zheng,Dong-Ping Zhang,The influence of annealing temperature on the structural,electrical and optical properties of ion beam sputtered CuInSe2 thin films [J]. Thin Solid Films,2011,519(16): 5348-5352. (2011JCR二区,材料科学:膜)

    3. Z.H. Zheng, P. Fan(通讯作者), T.B. Chen, Z.K. Cai, P.J. Liu, G.X. Liang, D.P. Zhang, X.M. Cai, Optimization in fabricating bismuth telluride thin films by ion beam sputtering deposition[J], Thin Solid Films, 2012, 520: 5245–5248. (2011JCR二区,材料科学:膜)

    4. G.X Liang, P Fan(通讯作者), Z.H Zheng, J.T Luo, D.P Zhang, C.M Chen, P.J Cao, Room-temperature preparation and properties of cadmium sulfide thin films by ion-beam sputtering deposition [J] Applied Surface Science, 2013, 273: 491-495. (2011JCR二区,材料科学:膜)

    5. Zhao-kun Cai, Ping Fan(通讯作者), Zhuang-hao Zheng, Peng-juan Liu, Tian-bao Chen, Xing-min Cai, Jing-ting Luo, Guang-xing Liang, Dong-ping Zhang,  Thermoelectric properties and micro-structure characteristics of annealed N-type bismuth telluride thin film[J]. Applied Surface Science (DOI:10.1016/j.apsusc.2013.04.138) . (2011JCR二区,材料科学:膜)

    6. Ping Fan, Zhuang-Hao Zheng, Guang-Xing Liang, Dong-Ping Zhang, Xing-Min Cai, Thermoelectric characterization of ion beam sputtered Sb2Te3 thin films[J],Journal of Alloys and Compounds, 2010, 505: 278–280. (2011JCR一区,冶金工程)

    7. Ping Fan, Tianbao Chen, Zhuanghao Zheng, Dongping Zhang, Xingmin Cai, Zhaokun Cai, Yiyi Huang, The influence of Bi doping in the thermoelectric properties of cosputtering deposited bismuth antimony telluride thin films[J],, Materials Research Bulletin, 2013, 48(2): 333–336.  (2011JCR三区,材料科学:综合)

    8. Ping Fan, Jing-rong Chi, Guang-xing Liang, Xing-min Cai, Dong-ping Zhang, Zhuang-hao Zheng, Peng-ju Cao, Tiao-bao Chen, Fabrication of Cu(In,Ga)Se2 thin films by ion beam sputtering deposition from a quaternary target at different substrate temperatures[J],J. Mater Sci: Mater Electron, (2012) 23:1957–1960. (2011JCR四区,材料科学:综合)

    9. T.B. Chen,  P. FAN(通讯作者), Z.H. Zheng, et al. Influence of Substrate Temperature on Structural and Thermoelectric Properties of Antimony Telluride Thin Films Fabricated by RF and DC Cosputtering [J], Journal of Electronic Materials, Vol. 41, No. 4, 2012,679-683. (2011JCR四区,物理:应用)

    10. Guangxing Liang, Ping Fan(通讯作者),Xingmin Cai,Dongping Zhang and Zhuanghao Zheng,The influence of film thickness on the transparency and conductivity of Al-doped ZnO thin films fabricated by ion-beam sputtering [J]. Journal of Electronic Materials,2011,40(3):267-273. (2011JCR四区,物理:应用)

    11. 范平,蔡兆坤,郑壮豪,张东平,蔡兴民,陈天宝,Bi-Sb-Te基热电薄膜温差电池离子束溅射制备与表征, 物理学报,2011,60 (9) :098402. (2011JCR四区,物理:综合)

    12. Ping Fan, Guang-Xing Liang, Zhuang-Hao Zheng, Xing-Min Cai,Dong-Ping Zhang, Adjustment of the selenium amount during ion beam sputtering deposition of CIS thin films[J],J Mater Sci: Mater Electron, 2010,21:897-901. (2011JCR四区,材料科学:综合)

    13. Z.H. Zheng,P. Fan(通讯作者),G.X. Liang,D.P. Zhang,C.X. Ming,T.B. Chen, Annealing temperature influence on electrical properties of ion beam sputtered Bi2Te3 thin films [J]. Journal of Physics and Chemistry of Solids,2010,71:1713-1716. (2011JCR四区,物理:凝聚态物理)

    14. P. Fan,Z.H. Zheng,G.X. Liang,C.X. Ming,D.P. Zhang,Composition-dependent characterization of Sb2Te3 thin films prepared by ion beam sputtering deposition [J]. Chin. Phys. Lett,2010,27(8): 087201. (2011JCR四区,物理:综合)

    15. Ping Fan,Guangxing Liang,Zhuanghao Zheng,Xingmin Cai,Dongping Zhang,Growth and characterization of CIS thin films prepared by ion beam sputtering deposition [J]. Chin. Phys. Lett,2010,27(4):046801. (2011JCR四区,物理:综合)

    16. 范平,郑壮豪,梁广兴,张东平,蔡兴民,Sb2Te3热电薄膜的离子束溅射制备与表征 [J]. 物理学报,2010,59(2):1243-1247. (2011JCR四区,物理:综合)

    17. Ping Fan, Kui Yi, Jian-Da Shao, Zheng-Xiu Fan. Electrical transport in metallic films[J],Journal of Applied Physics, 2004. 95 (5):2527-2531. (2011JCR三区,物理:应用)

    18. Ping Fan, Ji-Guo Chu, Jian-Da Shao. Conductance calculation of a long tube with rectangular cross section and annular cross section[J],VACUUM. 2003. 68(4):373-378. (2011JCR四区,物理:应用)

    19. Ping Fan, Ji-Guo Chu, Jian-Da Shao. Conductance calculation of a long tube with equilateral triangle cross section[J],J. Vac. Sci. Technol. A. 2002. 20 (6):2119-2122. (2011JCR四区,物理:应用)

    20. Ping Fan. A stratified flow model for calculating the conductance of long tubes with constant cross section[J],VACUUM. 2001. 60 (3):347-353. (2011JCR四区,物理:应用)

    21. 范平,张东平,梁广兴,郑壮豪,一种温差电池的制作方法 (发明专利授权号:ZL 20091010173.9,国际专利申请号:PCT/CN2009/075422,美国专利申请号US13/126,076、欧盟专利申请号EU1331CXH、日本专利申请号51101442384)

    22 范平,张东平,郑壮豪,梁广兴,一种薄膜温差电池及其制作方法 (发明专利授权号:ZL 200910105172.4,国际专利申请号:PCT/CN2009/075419,美国专利申请号US13/145,207、欧盟专利申请号EU1329CXH、日本专利申请号51101442638)

    23. 范平,梁广兴,郑壮豪,张东平,蔡兴民,薄膜太阳能电池吸收层CuInSe2薄膜的制备方法 (发明专利授权号:ZL 200910110216.2)

    24. 范平,郑壮豪,蔡兆坤,梁广兴,张东平,蔡兴民,一种薄膜发电装置(实用新型专利授权号:ZL 201020264649.1)